NAND Flash近期现货价格回扬，第二季NAND Flash仍将处于供过于求，预期下半年传统旺季来临后，才可望转为供需平衡。
DRAM方面，在晶片制造商捍卫价格态度未见软化下，现阶段合约价大致呈现持平或约略小涨态势，但近期2GB模组均价约40美元，与1GB模组均价两倍的35美元仍有落差，则可能有较大降价空间。
至于4月上旬合约价平均价格变动区间则约在负3%到7%左右，部分规格产品出现止跌小涨。
已走弱半年的主流8Gb MLC规格NAND Flash晶片过去一周来开始出现反弹，主要受惠韩国海力士（Hynix）开始进行8寸厂M9减产和12寸厂M11延后生产，加上IM Flash 公司在新加坡兴建的12寸厂量产计画递延，但部分规格仍呈现小跌，透露第二季NAND Flash仍处于淡季。
本季NAND Flash价格能否开始走强，决定因素还是在于终端市场需求量在近期内是否会出现明显的增加而定。目前看来，NAND Flash合约价格短期内将出现止跌回稳，伴随下半年传统旺季来临，市场也可望由现阶段的供过于求转为供需平衡。
在记忆体寒冬结束前，模组厂现金调度能力与经营策略成为未来能否继续存活的重要因素，但由于模组厂在DRAM原厂与下游之间具类似水库调节水量功能，若模组厂家数在一次景气衰退期里减少太多，对DRAM现货市场并非好事。
法人认为，首季DRAM市场供过于求，价格跌破成本，是业者摆脱不了亏损阴霾的主因，近期国际DRAM大厂普遍看多价格走势，尔必达与南科等都陆续调高合约价5%到10%，继美光、尔必达前接连公布财报大亏后，台湾DRAM厂业将迈入首季法说会财报公布期，届时将是解读第二季景气指标的重要风向球。
